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铜母线散热仿真分析与校核
  • 铜母线的载流散热分析一直是电力工业产品设计的重点,从热学角度分析,铜母线的温升主要取决于热辐射中发射率的影响以及热对流中风速的影响。铜排的载流设计是配电设计的重要环节,在众多电力领域中,考虑到风机失效带来的风险,无机机组设计成为主流。通过对发射率的深入探究,识别出一种热分析方法用于铜排热仿真分析。通过该方式获得了交流电与直流电的修正,评估出不同探求方式的影响。进一步通过实验测试,对仿真结果进行校核,得到了较为准确的仿真分析方法。
  • 铜母线用于电气连接,简称为铜排,从热学角度出发,影响铜排温升的三大主要物理传热过程为:热辐射、热对流和热传导。铜排热辐射的影响因素:铜排表面镀层、铜排周围环境温度、铜排所处空间大小、其他冷源温度等影响因素。铜排热对流的影响因素:铜排表面风速、铜排摆放方式、铜排周围环境温度。铜排热传导主要是搭接处的传热影响,主要因素为:铜排载流、铜排尺寸、铜排环境温度、铜排搭接时的接触热阻等。其中,铜排接触热阻的影响因素有:铜排平坦尺寸、铜排平面度、铜排锁附压力、铜排表面粗糙度、是否涂覆电力复合脂等。除了热学角度,在实际应用过程中,还需要考虑不均流影响,电磁生热影响,直流电和交流电不同供电方式的影响,其中交流电的趋肤效应在高频率运行中往往需要重点考虑,但这种效应在常规的UPS设备中影响有限。
      
      一、交流电与直流电的修正
      
      交流电情况下,由于集肤效应,电流向表面聚集,有效截面积减小,等效电阻增大,导致损耗高于同电流下的直流电。因此,同样规格的母排,直流电的允许载流量要大于交流电。由于集肤效应引起的损耗增大可以两者之间通过一个系数来修正。该系数推导公式如下:
      
      根据标准,同一规格的铜排,在分别通直流电和交流电的情况下,导体温度均为70℃,意味着两种情况的铜排发热量是一样的,即
      

    即:
      其中:Rac=K3×Rdc,K的来自来自《GB/T7251》附录N,代入可得:
      
      即直流电的允许载流量为交流电的倍,的值见表1。
      
      当工作电流为直流电时,允许的载流量可以通过载流量乘以表1中的相应系数来变换。
      
      
      二、摆放方式的影响
      
      从自然对流分析,其散热效果为:“立放”最优,见图1所示。“平放”次之,见图2所示。“竖直放置”最差,见图3所示。摆放方式的影响原因在于重力方向上,空气与铜排对流换热面积的不同。空气主要在竖直方向上进行对流换热,立放最优的原因在于两个铜排的宽面与空气进行主热交换。而平放则只有两个厚度方向与空气进行主热交换。至于竖直放置最差是因为在数值方向上,铜排热累积,导致上方的铜排温升通常会较高。
      


      三、发射率与电导率设置

    1.发射率设定

    不同材料的发射率会有很大不同,发射率会影响铜排的散热,因此,本次实验测试不同材料的发射率,为后续模型的设置提供依据,详见图4所示。


      实验方案:用探头测出样品的温度,用热成像仪扫描样品,调整发射率,知道扫描温度与探头温度一直,记录该发射率,详见表2。
      
      在用红外探头测试过程中,以下事宜需关注:
      
      1)对于无喷粉钣金类和铜排类(无套管处)温度测量,热成像仪默认的发射率一般为0.95,这一数值明显偏高,推荐使用数值为0.5。
      
      2)高亮产品,特别如裸铜或者高亮镍等表面产品,手持热成像仪的角度影响很大,最大发现偏差会超过10℃。
      
      3)如果靠近些测试体,特别是对于常温物体的测量,人体手指等表面靠近物体,会影响显示温度。当测试物体如果与常温温度相差不大时,用热成像仪显示的温度偏差较大。
      
      4)发现亮光对测试物体的温度影响很大,后续在实际测试时,不允许用手机开手电筒的方式照射物体,此外手持式的方向和距离对于显示温度的影响也很大,需多角度评估最高温度点。
      
      5)手持式热成像仪测试过程中,发现明显的热偏移现象,即成像中心点与实际位置有偏差,这个在后续的测试中需要考虑真实的场景位置,人为的移动相关位置。这一现象目前认定为与光的成像(焦距、折射等)有关。
      
      6)在高亮铜表面,用黑色记号笔标记了2个点,发现成像仪中这两个点的温度明显比周围高,这意味着发射可见光的能力会影响热成像成型,此时的温度非真实值,偏差非常大,已超过误差范围。后续测试如果需要标记点,建议用红色笔或者蓝色笔进行标记,综合而言,可见光在测试过程中可能会影响真实值。
      
      7)套管表面与铜排的温差值,这与套管自身的厚度有关,有实验数据表明(20mm宽,套管1.0mm厚度),二者相差为42.4-41=1.4℃,另外一组数据为55.0℃,53.7℃,二者温差1.3℃。实际运行过程中相差应该更大。
      
      8)发射率设定会影响显示温度,建议按照表2方式进行设定,预估偏差为±0.1。
      
      2.电导率设置
      
      铜的电导率随温度的变化而变化,电导率的变化会导致损耗的不同,因此,有必要设置不同温度下铜排的导电性。铜排的电导率数值及曲线如图5所示。
      
      四、单根铜排仿真分析
      
      针对直流电流仿真,图6、图7和图8中,对应标准温升为30K、50K和60K,环温设定为40℃,即对应温度为70℃、90℃和100℃。通过热仿真分析,
      
      该数据与国标《GBT7251》附录N对比,可得最高偏差为3℃,平均偏差值为1.9℃,仿真偏差数据在可接受范围内。
      


      五、结论
      
      铜母线的温升影响因素众多,在系统设计方面需要考虑各种因素叠加的影响。热仿真分析是较好的一种分析方法,通过与国标载流值的校对,获得较为可靠的热仿真方式,进而可以通过仿真可以得到任意截面的温升结果。在设定过程中,对铜母线的布局方式、物性参数深入分析,进一步对发射率进行测试。对单根铜母线仿真结果显示,仿真值与国标数值偏差值都小于3℃,仿真结果得到验证。后续系统的热分析,如配电柜的热仿真可以用于单根铜排的热分析方法进行建模计算,技术同源,可快速识别载流设计是否符合要求。
      
      参考文献
      
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      [8]GB7251.1-2023低压成套开关设备和控制设备[S].
      
      作者简介
      
      倪泽联,男,硕士,工程热物理专业,科学数据股份有限公司研发主任工程师,研究方向:电力电子产品热解决方案和材料热应用。曾获得国家级研究生奖学金,公开专利超30项,参与了多项行标和国标的编制:《数据中心数字孪生技术规范》、《电力半导体器件用散热器热管散热器》和《储能电池液冷散热器》等。
      
      编辑:Harris
      
      

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